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IPB06CN10N G

更新时间:2025-05-15 20:29:44
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  • 深圳市深创辉科技有限公司

  • IPB06CN10N G

    IPB06CN10N G

  • 4500

  • Infineon Technologies

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IPB06CN10N G 规格参数
  • 制造商
    Infineon
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    100 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    100 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    6.5 m Ohms
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 175 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    TO-263
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    7 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    214 W
  • 上升时间
    27 ns
  • 工厂包装数量
    1000
  • 典型关闭延迟时间
    26 ns
  • 零件号别名
    IPB06CN10NGXT
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