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IPD200N15N3 G

更新时间:2025-07-13 02:10:19
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IPD200N15N3 G 规格参数
  • 数据列表
    IPx200N15N3 GIPx200N15N3 G
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    OptiMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    50A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    20 毫欧 @ 50A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 90µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1820pF @ 75V
  • 功率 - 最大
    150W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装
    PG-TO252-3
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    IPD200N15N3 G-NDIPD200N15N3 GTRSP000386665
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