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IPD90N03S4L-02

更新时间:2024-10-10 05:32:01
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IPD90N03S4L-02外观图

  • 数据列表：IPD90N03S4L-02
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：90A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.2 毫欧 @ 90A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.2V @ 90µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：140nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：9750pF @ 25V
  • 功率 - 最大：136W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：PG-TO252-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IPD90N03S4L-02-NDIPD90N03S4L-02TRSP000273284
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