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IPG20N06S2L-65

更新时间:2025-05-16 16:44:18
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IPG20N06S2L-65 规格参数
  • 数据列表
    IPG20N06S2L-65
  • 标准包装
    5,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    OptiMOS™
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    20A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    65 毫欧 @ 15A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2V @ 14µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    410pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    43W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装
    PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    IPG20N06S2L65ATMA1SP000613722
芯知识
2.0万
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广东微尔科技有限公司
黄金展位供应商

  • 电话：13528438344
    深圳市天卓伟业电子有限公司
    QQ:3004217962

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