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IPG20N06S2L50ATMA1

更新时间:2025-05-24 15:59:11
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IPG20N06S2L50ATMA1 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    OptiMOS?
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    55V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    20A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    50 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2V @ 19μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    17nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    560pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
    51W
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装
    PG-TDSON-8-4
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