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更新时间:2024-12-01 22:34:27
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IPI139N08N3 G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IPI139N08N3 G外观图

  • 数据列表：IPx136,139N08N3 G
  • 标准包装：500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：45A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：13.9 毫欧 @ 45A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 33µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1730pF @ 40V
  • 功率 - 最大：79W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装：PG-TO262-3
  • 包装：管件
  • 其它名称：SP000457714
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