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IPW65R080CFD

更新时间:2025-07-04 18:30:28

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IPW65R080CFD 概述

IPW65R080CFD是一款由英飞凌科技公司生产的功率MOSFET。该器件基于CoolMOS技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源转换应用。它采用TO-247封装，适合需要高散热性能的场合。典型应用场景包括服务器电源、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及电动汽车充电设备。在电路设计中，建议充分考虑其最大漏源电压（VDS）为650V的特点，确保在高压应用环境下安全工作。此外，由于其低栅极电荷量，可实现更低的驱动损耗，有助于提升整体系统效率。使用时应注意合理的PCB布局以优化散热效果，并遵循制造商推荐的栅极电阻值来减少振荡风险。

IPW65R080CFD 规格参数

数据列表
IPW65R080CFD
标准包装
240
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
700V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
43.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫欧 @ 17.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 1.76mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
5030pF @ 100V
功率 - 最大
391W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PG-TO247-3
包装
管件
其它名称
IPW65R080CFDFKSA1SP000745036

芯知识

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