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IRF250

更新时间:2025-06-13 07:58:51

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
IRF250
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8966
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温岭市温峤腾飞电子元件经营部
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500000
-
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深圳市英科美电子有限公司
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深圳市英科美电子有限公司
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深圳市特立芯科技有限公司
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北京罗彻斯特电子科技有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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IRF250 概述

IRF250是由国际整流器公司（现为英飞凌科技的一部分）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高频率开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏极-源极电压为200V，在25℃时的最大连续漏极电流可达17A。IRF250通常应用于电源转换器、逆变器以及电机驱动电路中。在实际使用时，需注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET，避免因欠驱动导致的过高导通损耗。设计电路时应考虑散热措施，如添加适当的散热器，以保证器件工作温度处于安全范围内。对于高频应用，合理布局PCB走线，减小寄生电感对电路性能的影响也至关重要。

IRF250 规格参数

典型关断延迟时间
170 ns
典型接通延迟时间
35 ns
典型栅极电荷@Vgs
55 → 115 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds
3500 pF V @ 25
安装类型
通孔
宽度
26.67mm
封装类型
TO-3
尺寸
39.95 x 26.67 x 7.87mm
引脚数目
2
最低工作温度
-55 °C
最大功率耗散
150 W
最大栅源电压
±20 V
最大漏源电压
200 V
最大漏源电阻值
0.09
最大连续漏极电流
30 A
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
1
类别
功率 MOSFET
通道类型
N
配置
单
长度
39.95mm
高度
7.87mm

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