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IRF540STRLPBF

更新时间:2025-05-21 20:22:22

供应商
产品型号
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厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市芯国创科技有限公司
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只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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原厂渠道，现货配单

深圳市汇创佳电子科技有限公司
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/2024+
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深圳市佳芯恒业科技有限公司
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深圳海天芯供应链有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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IRF540STRLPBF 概述

IRF540STRLPBF是由Infineon Technologies生产的N沟道MOSFET。它采用D²PAK封装，适合表面贴装应用。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，典型导通电阻为0.044欧姆（在Vgs=10V时）。其最大漏极电流可达33A，在栅极电压为10V时性能最佳。此MOSFET适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效功率转换的场景。在实际应用中，需注意其最大工作电压为100V，确保电路设计不超过这一限制。为提高散热效率，建议使用合适的散热片。在PCB布局时，尽量缩短源极和漏极之间的走线长度以减小寄生电感的影响，从而提升开关速度并减少损耗。在驱动电路方面，提供足够的栅极驱动电压对于实现最低导通电阻至关重要。

IRF540STRLPBF 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
28A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
77 毫欧 @ 17A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1700pF @ 25V
功率 - 最大
3.7W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
其它名称
IRF540STRLPBF-NDIRF540STRLPBFTR

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