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IRF5803

更新时间:2025-06-17 10:45:38

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询价

深圳市诚研翔科技有限公司
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BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
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深圳闻舟科技有限公司
IRF5803TRPBF
严选现货
严选现货= 现货+好口碑+品质承诺
带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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1298
INFINEON/英飞凌
TSOP6/22+
原装有现货实单可谈

深圳市伟欣华电子有限公司
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认证现货
600000
INFINEON
SOT236/26+
原装现货

深圳市创科洋电子有限公司
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认证现货
30000
INFINEON
SOT236/25+
IR全系列一级代理，深圳公司大量现货

现代芯城（深圳）科技有限公司
IRF5803D2TRPBF
优势
45600
中国电子供应商
SOP/DIP/2017+
一级代理放心采购

深圳闻舟科技有限公司
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优势
1298
INFINEON/英飞凌
TSOP6/22+
原装有现货实单可谈

深圳市四雄微电子有限公司
IRF5803TR
优势
890
IR
SOT236/14+
四雄微原装价优实在

深圳市华睿芯科技有限公司
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优势
18968
INFINEON/英飞凌
TSOP6/2024+
原厂原装，现货，假一罚十，支持订货

深圳市优尚半导体科技有限公司
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优势免费样品
6000
INFINEON/英飞凌
26+/TSOP6
原装现货，原型号可开票，可免费送样

深圳市顺芯诚电子有限公司
IRF5803TR
优势
4281
INFINEON/英飞凌
TSOP6/15+
优势现货

深圳市誉鼎科技有限公司
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优势
3000
INFINEON
SOT23/22+
全新原装现货/支持实单

艾润香港电子有限公司
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优势
3950
IR
SOP8/0445+
原装部分现货量大期货

深圳市华盛锦科技有限公司
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8000
IRF
SO8/25+
原装现货，支持BOM配单

深圳市华睿芯科技有限公司
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20000
ST
SOP/2024+
17%原装.深圳送货

深圳市米数科技有限公司
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5000
IR(国际整流器)
N/A/26+
只做原装，价格市场

深圳市勤尚伟业电子有限公司
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5000
IR
SOT163/23+
原装库存，提供优质服务

深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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IR
SOT163/2024+
现货假一罚万只做原装现货

深圳市优尚半导体科技有限公司
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5000
IR
SOT163/26+
提供一站式BOM配单服务

深圳市诚研翔科技有限公司
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7450
IR
TSOP/03+
全新有保证诚信经营鑫盛金

深圳市得捷芯城科技有限公司
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8735
IR(国际整流器)
NA//23+
原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市安富世纪电子有限公司
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IR
SOT236/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市勤尚伟业电子有限公司
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5000
IR
SOT163/25+
只做原装，可提供技术支持及配单服务

深圳市威雅利发展有限公司
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8700
IR
SOT163/23+
原装现货

深圳市特立芯科技有限公司
IRF5803
5000
IR
SOT163/26+
全新原装现货，一站式配单服务

深圳市博伟奇电子有限公司
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12260
IR
SOT163/23+
高品质优选好芯

深圳市优尚半导体科技有限公司
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5000
IR
SOT163/23+
优势产品大量库存原装现货

深圳市芯乐创科技有限公司
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50000
IR
-/26+
只做原装，专注提供BOM配单服务

深圳市华美锐科技有限公司
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3000
IR
SOT163/11+
原装正品热卖，价格优势

深圳市芯通晟电子有限公司
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8000
IR
-/26+
全新原装，可开增值税票

深圳市赛思尔科技有限公司
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21403
IR
SOT163/23+
原装现货，长期供应

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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8000
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SO8/2024+
原装现货，支持BOM配单

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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50000
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SOT236/2022+
可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市富科达科技有限公司
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全新原装进口现货特价热卖，长期供货

深圳市赛思尔科技有限公司
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SOT163/2016+
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蓝界科技（深圳）有限公司
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CMOS/场效应半导体
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深圳市誉辉天成电子有限公司
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SOT163/24+
优势渠道现货,提供一站式配单服务

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IRF5803 概述

IRF5803是由国际整流器公司（Infineon Technologies）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的硅技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用。其最大漏极-源极电压为30V，适合在低压电路中使用。典型应用场景包括直流-直流转换器、负载点调节器以及电池供电设备中的电源管理电路。由于其高效的能量转换能力和紧凑的封装形式，常用于便携式电子产品如智能手机和平板电脑等设备中。在实际应用中，设计者应注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET，同时合理布局PCB以减小寄生电感对高速开关性能的影响。建议在栅极串联一个小电阻来抑制振荡，并且并联一个肖特基二极管以保护MOSFET免受反向电压损害。

IRF5803 规格参数

现有数量
0现货
系列
HEXFET?
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
112 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1110 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro6?（TSOP-6）
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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