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IRF5803

更新时间:2025-06-17 10:45:38

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深圳市辉华电子半导体有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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INFINEON/英飞凌
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原装有现货实单可谈

深圳市伟欣华电子有限公司
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深圳市创科洋电子有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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艾润香港电子有限公司
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深圳市华睿芯科技有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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原装现货，原型号可开票，可免费送样

深圳闻舟科技有限公司
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深圳市顺芯诚电子有限公司
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深圳市誉鼎科技有限公司
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全新原装现货/支持实单

深圳市四雄微电子有限公司
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SOT236/14+
四雄微原装价优实在

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全新原装进口现货特价热卖，长期供货

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原装现货，当天可交货，原型号开票

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只做原装，可提供技术支持及配单服务

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深圳市华盛锦科技有限公司
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只做原装特价清仓一手货源代理渠道胡经理

深圳市赛思尔科技有限公司
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原装现货，长期供应

深圳市英德州科技有限公司
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昆山隆诚翔电子有限公司
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深圳市西子半导体有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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SO8/2024+
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深圳市芯通晟电子有限公司
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深圳市华睿芯科技有限公司
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SOP/2024+
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深圳市芯国创科技有限公司
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SOT163/25+
只做原装，支持账期，提供一站式配单服务

深圳市赛思尔科技有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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IRF5803 概述

IRF5803是由国际整流器公司（Infineon Technologies）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的硅技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用。其最大漏极-源极电压为30V，适合在低压电路中使用。典型应用场景包括直流-直流转换器、负载点调节器以及电池供电设备中的电源管理电路。由于其高效的能量转换能力和紧凑的封装形式，常用于便携式电子产品如智能手机和平板电脑等设备中。在实际应用中，设计者应注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET，同时合理布局PCB以减小寄生电感对高速开关性能的影响。建议在栅极串联一个小电阻来抑制振荡，并且并联一个肖特基二极管以保护MOSFET免受反向电压损害。

IRF5803 规格参数

现有数量
0现货
系列
HEXFET?
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
112 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1110 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro6?（TSOP-6）
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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