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IRF6217PBF

更新时间:2025-06-13 05:10:28
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IRF6217PBF 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    14 ns
  • 典型接通延迟时间
    12 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    6 常闭 V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds
    150 pF V @ 25
  • 安装类型
    表面贴装
  • 宽度
    4mm
  • 封装类型
    SOIC
  • 尺寸
    5 x 4 x 1.5mm
  • 引脚数目
    8
  • 最低工作温度
    -55 °C
  • 最大功率耗散
    2.5 W
  • 最大栅源电压
    ±20 V
  • 最大漏源电压
    150 V
  • 最大漏源电阻值
    2.4
  • 最大连续漏极电流
    0.7 A
  • 最高工作温度
    +150 °C
  • 每片芯片元件数目
    1
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    P
  • 配置
    四漏极、单、三源
  • 长度
    5mm
  • 高度
    1.5mm
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