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IRF630NSTRLPBF

更新时间:2025-07-08 04:23:54

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International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

IRF630NSTRLPBF 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
9.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
300 毫欧 @ 5.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
575pF @ 25V
功率 - 最大
82W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
其它名称
IRF630NSTRLPBF-NDIRF630NSTRLPBFTR

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