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IRF7311TR

更新时间:2025-07-06 20:32:03
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IRF7311TR外观图

IRF7311TR

International Rectifier FET - 阵列

MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7311TR 规格参数
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    6.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    29 毫欧 @ 6A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    27nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    900pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SO
  • 包装
    带卷 (TR)
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