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IRF7325

更新时间:2024-03-21 00:23:04
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  • 大小:241.85KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:HEXFET Power MOSFET
  • 标准包装:95
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:24 毫欧 @ 7.8A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):900mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:33nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2020pF @ 10V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SO
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRF7325Q1153815D
IRF7325 相关信息
  • 应用零电压MOSFET设计常开负载开关降低功耗
    ...连接在一起而提供一个DPST功能,也可以保持独立,而组成两个SPST开关。 为了建立一个常开零功耗电路而且其负载通常处于关断状态,需要用一个N沟道负载驱动器(例如IRF7313)取代P沟道负载驱动器IRF7325。在这种情况下,电路是通常开通状态而且负载处于通常关闭状态,整个电路只消耗漏电流。相对于一个继电器激活的电路,这个电路的静态消耗被降低了几个数量级,从几瓦到几微瓦。 如图2的...
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