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IRF7343PBF

更新时间:2025-05-16 12:13:31
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IRF7343PBF外观图

IRF7343PBF

International Rectifier FET - 阵列

MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7343PBF 规格参数
  • 标准包装
    95
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4.7A，3.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    50 毫欧 @ 4.7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    740pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SO
  • 包装
    管件
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