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IRF7555TR

更新时间:2025-07-03 17:25:15
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IRF7555TR外观图

IRF7555TR

International Rectifier FET - 阵列

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8

  • 封装:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
IRF7555TR 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    55 毫欧 @ 4.3A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    15nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1066pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    1.25W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
  • 供应商设备封装
    Micro8?
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    IRF7555DKR
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