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IRF7805QTRPBF

更新时间:2025-06-16 06:09:59

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深圳市世纪成达电子科技有限公
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International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

IRF7805QTRPBF 规格参数

标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
13A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫欧 @ 7A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SO
包装
Digi-Reel?
其它名称
IRF7805QTRPBFDKR

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