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IRF7807V

更新时间:2025-05-18 01:30:24
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IRF7807V外观图

IRF7807V

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7807V 规格参数
  • 标准包装
    95
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    8.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    25 毫欧 @ 7A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    14nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    2.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SO
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    *IRF7807V
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