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IRF840PBF

更新时间:2025-07-03 15:09:45

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IRF840PBF 概述

IRF840PBF是由国际整流器公司（现为英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有较高的耐压能力，最大漏源电压Vds可达500V，适合在高压应用中使用。其典型导通电阻Rds(on)较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该MOSFET适用于开关电源、电机驱动、逆变器等多种电力电子领域。在实际应用中，建议在栅极和源极之间添加一个适当值的电阻以控制开通速度，防止过冲。同时，由于其高电压特性，在电路设计时需确保足够的绝缘距离，并采取适当的散热措施，以维持器件的工作温度在安全范围内。对于需要高效能和可靠性的工业级电源转换设备来说，IRF840PBF是一个不错的选择。

IRF840PBF 规格参数

标准包装
1,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
850 毫欧 @ 4.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
*IRF840PBF

芯知识

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