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IRF9140

更新时间:2025-06-12 17:21:59

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IRF9140 概述

IRF9140是由Infineon Technologies生产的P沟道MOSFET。该器件适用于多种功率控制应用，具有低导通电阻和快速开关特性，可在小封装中提供高效性能。基础描述方面，IRF9140的最大漏源电压为-60V，最大连续漏极电流为-8A，在栅极驱动电压为-10V时的导通电阻仅为0.25Ω。其采用TO-220封装，易于安装和散热处理。典型应用场景包括电源管理、电机驱动、负载切换等需要高效功率控制的场合。例如在直流电机速度控制电路中，可利用该MOSFET实现对电机转速的精确调节；也可用于UPS系统中的电池充放电管理。使用时应注意合理设计驱动电路以确保可靠开启和关闭，避免因驱动不足导致的发热问题。同时要关注散热设计，保证工作温度在安全范围内。

IRF9140 规格参数

典型关断延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
35 ns
典型栅极电荷@Vgs
31 → 60 常闭 V @ -10
典型输入电容值@Vds
1400 pF V @ -25
安装类型
通孔
宽度
26.67mm
封装类型
TO-3
尺寸
39.95 x 26.67 x 7.87mm
引脚数目
2
最低工作温度
-55 °C
最大功率耗散
125 W
最大栅源电压
±20 V
最大漏源电压
-100 V
最大漏源电阻值
0.2
最大连续漏极电流
-18 A
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
1
类别
功率 MOSFET
通道类型
P
配置
单
长度
39.95mm
高度
7.87mm

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