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IRFP044

更新时间:2025-05-16 15:25:36

供应商
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封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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IRFP044 概述

IRFP044是由英飞凌公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低开关损耗。其最大漏极-源极电压（Vds）为40V，连续漏极电流（Id）可达75A，在栅极-源极电压（Vgs）为10V时，导通电阻（Rds(on)）典型值为2.8mΩ。此款MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、不间断电源系统、电机驱动以及同步整流电路中。在实际应用时，需确保栅极驱动电路能提供足够强度的脉冲以保证MOSFET可靠开启与关闭，并且要注意散热设计以维持结温在安全范围内。建议使用合适的散热器并考虑PCB布局对热阻的影响，同时注意电路布线要尽量短以减少寄生电感对开关性能的影响。

IRFP044 规格参数

制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
60 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
57 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.028 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC
封装
Tube
下降时间
88 ns
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
180 W
上升时间
120 ns
工厂包装数量
500
典型关闭延迟时间
55 ns

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