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IRFP360

更新时间:2024-04-27 12:05:01
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IRFP360 相关资料
  • 其它信息:

    23.0A/400V

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  • 大小:164.16KB
  • 厂家:
  • 描述:HEXFET? Power MOSFET
  • 数据列表:IRFP360
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):400V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:23A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:200 毫欧 @ 14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:210nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:4500pF @ 25V
  • 功率 - 最大:280W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商设备封装:TO-247-3
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRFP360
IRFP360 相关信息
  • D类MOSFT在发射机射频功放中的应用
    ...类开关状态,故其整机效率明显高于其它制式的发射机,典型效率可达到86%。图3所示为DX一200型DAM发射机的射频功率放大器模块的原理方框图。 DX一200型DAM发射机射频功放模块中使用的MOS管型号为IRFP360,它们都工作于D类开关状态,即在射频周期的半个周期饱和导通,相当于开关闭合;而在另半个周期截止,相当于开关断开。每个功放模块共使用八只MOS管,被接成桥式组态。来自调制编码器的...
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