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描述：IRFP450 N - CHANNEL 500V - 0.33Ω - 14A - TO-247 PowerMESH? MOSFET n TYPICAL R DS(on) = 0.33 Ω n EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY n 100% AVALANCHE TESTED n VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES n GATE CHARGE MINIMIZED DESCRIPTION This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY? process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources. APPLICATIONS n HIGH CURRENT SWITCHING n UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS) n DC/DC COVERTERS FOR TELECOM, INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT. ? INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM August 1998 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VDS Drain-source Voltage (VGS =0) 500 V V DGR Drain- gate Voltage (RGS =20 kΩ) 500 V V GS Gate-source Voltage ± 20 V ID Drain Current (continuous) at Tc =25 o C14 A ID Drain Current (continuous) at Tc =100 o C8.7 A I DM (?) Drain Current (pulsed) 56 A P tot Total Dissipation at T c =25 o C190W Derating Factor 1.5 W/ o C dv/dt(1)
标准包装：30
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：14A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：400 毫欧 @ 8.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：2800pF @ 25V
功率 - 最大：190W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3P-3 整包
供应商设备封装：TO-247AD
包装：管件
其它名称：IRFP450X

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