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IRFR110PBF

更新时间:2025-07-13 12:25:55

供应商
产品型号
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数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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IRFR110PBF 概述

IRFR110PBF是国际整流器公司（现为英飞凌旗下品牌）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、直流-直流转换器及电机驱动电路中。其最大漏源电压为60V，在栅极驱动电压为10V时，典型导通电阻仅为20mΩ，能够有效降低功耗并提高效率。在使用时应注意保证足够的散热措施，避免因过热导致性能下降或损坏。设计电路时需考虑合理的栅极驱动电阻值以优化开关速度与EMI性能。

IRFR110PBF 规格参数

数据列表
IRFR110, SiHRF110
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
540 毫欧 @ 2.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
180pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
管件

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