品牌:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220F
包装:50/管件
属性:
FET 类型:N 通道; 技术:MOSFET(金属氧化物); 漏源电压(Vdss):250V; 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.1A(Tc); 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V; 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 4.05A,10V; 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA; 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):38nC @ 10V; Vgs(最大值):±30V; 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1000pF @ 25V; 功率耗散(最大值):38W(Tc); 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ); 安装类型:通孔; 供应商器件封装:TO-220F; 封装/外壳:TO-220-3 整包;