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IRGS14C40LPBF

更新时间:2025-06-15 09:40:30

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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TO263/1901+
原包装进口正品现货库存-正规渠道

深圳市威雅利发展有限公司
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原装现货

蓝界科技（深圳）有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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53000
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

深圳市芯齐壹科技有限公司
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18000
IR
TO263/26+
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TO263/-
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深圳市华斯顿科技有限公司
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INFINEON/英飞凌
D2PAK/25+23+
原装/支持实单/原盒原标原盘/原管

深圳市金科创世纪电子有限公司
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10500
INFINEON
D2PAK/-
原装现货，可开票，提供账期诚信服务

深圳市英特翎科技有限公司
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3000
Infineon Technologies
-/23+
英特翎科技原装

深圳市金灿利电子科技有限公司
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168000
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回收此型号IRGS14C40LPBF

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深圳市金嘉锐电子有限公司
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IRGS14C40LPBF外观图

IRGS14C40LPBF

International Rectifier IGBT - 单路

IGBT IGNITION 430V 20A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

IRGS14C40LPBF 概述

IRGS14C40LPBF是由英飞凌科技生产的MOSFET功率晶体管，专为高压应用设计。该器件采用TO-263封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效电源转换系统。其最大漏源电压可达400V，适合用于不间断电源、电机驱动和工业逆变器等场合。在实际应用中，此MOSFET常被用于开关电源的初级侧，作为主开关管来实现能量转换。设计时应注意栅极驱动电路的设计，确保足够的驱动电压以降低导通损耗。此外，在布局PCB时应尽量减小寄生电感，避免高频振荡影响系统稳定性。对于热管理，推荐使用适当的散热措施，如加装散热片或利用PCB铜箔散热，以维持器件工作温度在安全范围内。

IRGS14C40LPBF 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
IGBT - 单路
系列
-
IGBT 类型
-
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
430V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.75V @ 5V，14A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
20A
功率 - 最大
125W
输入类型
逻辑
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
管件
其它名称
*IRGS14C40LPBF

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