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IRLHS6276TR2PBF

更新时间:2025-07-07 23:30:21
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IRLHS6276TR2PBF外观图

IRLHS6276TR2PBF

International Rectifier FET - 阵列

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

  • 封装:6-PowerVQFN
IRLHS6276TR2PBF 规格参数
  • 特色产品
    Dual PQFN 2x2 and Dual PQFN 3.3x3.3 Power MOSFETs
  • 标准包装
    400
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    45 毫欧 @ 3.4A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.1V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    3.1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    310pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    1.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-PowerVQFN
  • 供应商设备封装
    6-PQFN（2x2）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    IRLHS6276TR2PBFTR
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