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IRLHS6376TR2PBF

更新时间:2025-07-09 16:53:05
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IRLHS6376TR2PBF外观图

IRLHS6376TR2PBF

International Rectifier FET - 阵列

MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFN

  • 封装:6-VDFN 裸露焊盘
IRLHS6376TR2PBF 规格参数
  • 特色产品
    Dual PQFN 2x2 and Dual PQFN 3.3x3.3 Power MOSFETs
  • 标准包装
    400
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    63 毫欧 @ 3.4A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.1V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    2.8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    270pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    1.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    6-PQFN（2x2）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    IRLHS6376TR2PBF-NDIRLHS6376TR2PBFTR
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