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IRLR110

更新时间:2025-05-18 19:40:28

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深圳市辉华电子半导体有限公司
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IRLR110 概述

IRLR110是英飞凌科技公司生产的一款N沟道增强型MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率管理应用。该器件常用于直流-直流转换器、负载开关以及电机驱动电路中。在电池供电设备里，有助于提高能效并延长电池寿命。其栅极电荷较低，可降低驱动损耗，适合高频操作。使用时需注意最大漏源电压和连续漏极电流限制，确保不超过额定值以避免损坏。设计电路时应根据具体需求合理选择外围元件，如栅极电阻等，以优化性能。

IRLR110 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
540 毫欧 @ 2.6A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
250pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
管件
其它名称
*IRLR110

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