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IRLR3636PBF

更新时间:2025-06-10 03:17:20
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IRLR3636PBF外观图

IRLR3636PBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

  • 封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
IRLR3636PBF 规格参数
  • 标准包装
    75
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    50A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    6.8 毫欧 @ 50A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    49nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    3779pF @ 50V
  • 功率 - 最大
    143W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装
    D-Pak
  • 包装
    管件
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