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IRLU7843PBF

更新时间:2025-06-20 19:42:39

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市集好芯城科技有限公司
IRLU7843PBF
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集好芯城，芯片集成，品质保证
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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只做原装，价格市场

深圳市华美锐科技有限公司
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深圳市捷立辉科技有限公司
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只做原装原厂原装假一罚十有挂就有

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INFINEON/英飞凌
C0603/22+
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市能元时代电子有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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行业十年，价格超越代理，支持权威机构检测

深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市金嘉锐电子有限公司
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深圳市万芯时代贸易有限公司
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深圳市蓝山航业科技有限公司
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500000
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4000
Infineon Technologies
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深圳市星宇佳科技有限公司
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30
INFINEON/英飞凌
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深圳市致诚达科技有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
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深圳市英特翎科技有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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TO2513 Short Leads IPak TO251AA/2024+
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艾润（香港）电子有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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International Rectifier
N/A/1623
全新原装2-3周

深圳市锟鹏芯电子有限公司
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深圳市港源诚电子有限公司
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IRLU7843PBF外观图

IRLU7843PBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 30V 161A I-PAK

封装:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB

IRLU7843PBF 概述

IRLU7843PBF是国际整流器公司（现为英飞凌旗下产品）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用D2PAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为30V，在10V栅极驱动下的典型导通电阻仅为3.5mΩ，非常适合用于需要高效功率转换的应用场景。典型应用场景包括直流-直流转换器、电机驱动以及电源管理电路中作为开关元件使用。在电机驱动应用中，它能够有效降低功耗并提高系统效率。设计时需注意散热设计以确保最佳性能。

IRLU7843PBF 规格参数

标准包装
75
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
161A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.3 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4380pF @ 15V
功率 - 最大
140W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商设备封装
I-Pak
包装
管件
其它名称
*IRLU7843PBF

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