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IXFH21N60

更新时间:2025-07-12 16:04:36

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IXFH21N60 概述

IXFH21N60是IXYS公司生产的一款高性能功率MOSFET，专为高压应用设计。这款器件具有600V的漏源电压（VDSS）和21A的连续漏极电流（ID），适用于各种电力转换和控制设备中。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少功率损耗，提高系统效率。该MOSFET广泛应用于不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器和其他工业及消费类电子产品中。在电路设计中，推荐使用适当的栅极驱动电路以确保快速开关特性和最小的开关损耗。同时，应注意散热管理，采用合适的散热器或冷却系统，以维持元件的工作温度在安全范围内。由于其高电压和大电流能力，在进行PCB布局时应特别注意走线宽度和间距，避免因过载而导致故障。

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