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IXFK80N20Q

更新时间:2025-05-16 21:42:40

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IXFK80N20Q

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA

封装:TO-264-3，TO-264AA

IXFK80N20Q 概述

IXFK80N20Q是IXYS公司生产的一款高性能功率MOSFET。它采用N沟道设计，具有200V的漏源电压（VDSS）和80A的连续漏极电流（ID）。这款MOSFET专为高效电力电子应用而设计，如开关电源、电机驱动和不间断电源系统等。该器件具备低导通电阻（RDS(on)），有助于减少能量损耗并提高整体效率。其快速开关特性使其在高频应用中表现出色，能够实现更紧凑的设计方案。此外，它还具有较高的雪崩耐量，增强了设备的可靠性和耐用性。在实际应用中，建议注意散热管理，确保器件在安全工作区域内运行。对于电机驱动电路，应合理选择栅极电阻以优化开关速度，并使用适当的缓冲电路来减少电磁干扰。此款MOSFET适合于需要高效率和高可靠性的工业及商业电源系统。

IXFK80N20Q 规格参数

标准包装
25
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
28 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
180nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4600pF @ 25V
功率 - 最大
360W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装
TO-264AA
包装
管件

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