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IXFN50N25

更新时间:2025-06-23 08:57:05

供应商
产品型号
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封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
IXFN50N25
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
上传BOM

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海芯未来半导体电子（深圳）有
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中扬电子（深圳）有限公司
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艾润（香港）电子有限公司
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芯德微联（深圳）电子有限公司
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中科航芯（深圳）科技有限公司
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IXYS
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进口原装现货

深圳市誉辉天成电子有限公司
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5000
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优势渠道现货,提供一站式配单服务

深圳市百达威尔科技有限公司
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深圳市辉华拓展科技有限公司
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IXFN50N25 概述

IXFN50N25是由IXYS公司生产的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的Trench技术，具有极低的导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）为250V，连续漏极电流（Id）可达50A，适用于高功率密度应用。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、电机驱动、开关电源及各种工业控制设备中的高频开关电路。由于其出色的热稳定性和较低的开关损耗，IXFN50N25在需要高效能量转换的设计中表现尤为突出。使用时应注意适当的散热设计以确保最佳性能，并遵循制造商推荐的栅极驱动条件来实现可靠操作。对于电路设计，建议选择合适的栅极电阻值以优化开关速度并减少电磁干扰。

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