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IXGH40N30BD1

更新时间:2025-06-11 16:38:04

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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IXGH40N30BD1 概述

IXGH40N30BD1是由IXYS公司生产的高性能N沟道MOSFET。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于大功率应用。其最大漏源电压（Vds）为300V，连续漏极电流（Id）可达40A，这使得它在高压高频开关电源、电机驱动和不间断电源系统等场景中表现出色。此外，它的快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。在电路设计中，需注意合理的栅极驱动设计以确保可靠开关，并且要考虑足够的散热措施来维持长期稳定工作。

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