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IXGT32N90B2D1

更新时间:2025-05-16 00:24:28
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IXGT32N90B2D1外观图

IXGT32N90B2D1

IXYS IGBT - 单路

IGBT 900V 64A FRD TO-268

  • 封装:TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
IXGT32N90B2D1 规格参数
  • 标准包装
    30
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    IGBT - 单路
  • 系列
    HiPerFAST™
  • IGBT 类型
    -
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    900V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    2.7V @ 15V，32A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    64A
  • 功率 - 最大
    300W
  • 输入类型
    标准型
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
  • 供应商设备封装
    TO-268
  • 包装
    管件
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