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IXTU1R4N60P

更新时间:2025-05-19 08:07:36
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IXTU1R4N60P外观图

IXTU1R4N60P

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251

  • 封装:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
IXTU1R4N60P 规格参数
  • 标准包装
    75
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PolarHV™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    9 欧姆 @ 700mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5.5V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    5.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    140pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    50W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
  • 供应商设备封装
    TO-251
  • 包装
    管件
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