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J112

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J112外观图

  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:2,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:JFET(结点场效应
  • 系列:-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):5mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss):-
  • 漏极电流 (Id) - 最大:-
  • FET 型:N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):35V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:1V @ 1µA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 电阻 - RDS(开):50 欧姆
  • 安装类型:通孔
  • 包装:散装
  • 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装:TO-92-3
  • 功率 - 最大:625mW
  • 其它名称:J112FS
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IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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