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J112

更新时间:2025-07-07 08:19:58
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J112外观图

J112

Fairchild Semiconductor JFET（结点场效应

IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92

  • 封装:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
J112 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    2,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    JFET（结点场效应
  • 系列
    -
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    -
  • 漏极电流 (Id) - 最大
    -
  • FET 型
    N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
    35V
  • 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id
    1V @ 1µA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 电阻 - RDS（开）
    50 欧姆
  • 安装类型
    通孔
  • 包装
    散装
  • 封装/外壳
    TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装
    TO-92-3
  • 功率 - 最大
    625mW
  • 其它名称
    J112FS
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