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KF50BDT

更新时间:2025-06-10 14:01:16

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KF50BDT 概述

KF50BDT是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效功率转换应用。其最大漏源电压(VDS)为50V，适合于中低压应用环境。典型应用场景包括直流-直流转换器、电源管理模块以及电机驱动电路等。在同步整流电路中，KF50BDT能够显著降低传导损耗，提高整体效率。此外，由于其快速的开关速度，还可以减少开关损耗，进一步提升系统性能。使用时需注意散热设计，确保MOSFET在安全工作区域内运行。建议在PCB布局时增加足够的铜箔面积以帮助散热，并选择合适的栅极驱动电阻值来优化开关性能。对于需要并联多个MOSFET的应用，要特别关注电流均衡问题，避免个别元件过载损坏。

KF50BDT 规格参数

制造商
STMicroelectronics
产品种类
低压降 (LDO) 调节器
最大输入电压
20 V
输出电压
5 V
回动电压（最大值）
0.35 V
输出电流
500 mA
负载调节
50 mV
输出端数量
1
输出类型
Fixed
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252
输入偏流（最大值）
0.5 mA
Input Voltage MIN
- 0.5 V
线路调整率
18 mV
最小工作温度
- 40 C
封装
Tube
工厂包装数量
75
电压调节准确度
2 %

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