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KSK596PBWD

更新时间:2025-06-15 20:37:20
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KSK596PBWD外观图

KSK596PBWD

Fairchild Semiconductor JFET（结点场效应

JFET N-CH 20V 10MA TO-92S

  • 封装:TO-226-3，TO-92-3 短体
KSK596PBWD 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    JFET（结点场效应
  • 系列
    -
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)
    100µA @ 5V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    -
  • 漏极电流 (Id) - 最大
    1mA
  • FET 型
    N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
    20V
  • 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id
    600mV @ 1µA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    3.5pF @ 5V
  • 电阻 - RDS（开）
    -
  • 安装类型
    通孔
  • 包装
    散装
  • 封装/外壳
    TO-226-3，TO-92-3 短体
  • 供应商设备封装
    TO-92S
  • 功率 - 最大
    100mW
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