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LF356N

更新时间:2024-04-28 03:19:56
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  • 制造商:National Semiconductor (TI)
  • 通道数量:1
  • 共模抑制比(最小值):80 dB
  • 输入补偿电压:10 mV at +/- 15 V
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:MDIP
  • 转换速度:12 V/us at +/- 15 V
  • 关闭:No
  • 最大工作温度:+ 70 C
  • 封装:Tube
  • 最小工作温度:0 C
  • 工厂包装数量:40
  • 电源电流:10 mA at +/- 15 V
  • 技术:BiFET
  • 电压增益 dB:106.02 dB
LF356N 相关信息
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