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LMC660AIM

更新时间:2025-05-01 00:22:24
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LMC660AIM 相关资料

  • 其它信息：

    轨至轨输出摆幅；指定2kΩ和600Ω负载；高电压增益：126dB；低输入偏置电压：3mV；低偏置电压漂移：1.3μV/℃；超低输入偏置电流：2fA；输入共模范围包括Vˉ；操作范围＋5～＋15V供电；Iss＝400μA/放大器；独立的V＋；在10kHz时，低失真0.01％； 转换速率：1.1V/μs；工业温度范围：－40℃≤TJ≤＋85℃

  • 引脚图：

    LMC660AIM引脚图

LMC660AIM的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：National Semiconductor (TI)
  • 通道数量：4
  • 共模抑制比（最小值）：70 dB
  • 输入补偿电压：3 mV at 5 V
  • 工作电源电压：5 V, 9 V, 12 V, 15 V
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-14 Narrow
  • 转换速度：1.1 V/us at 5 V
  • 关闭：No
  • 最大工作温度：+ 85 C
  • 封装：Tube
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 工厂包装数量：55
  • 电源电流：2.2 mA at 5 V
  • Supply Voltage - Max：15.5 V
  • Supply Voltage - Min：4.75 V
  • 技术：CMOS
  • 电压增益 dB：126.02 dB
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