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LND150N3-G-P014

更新时间:2025-06-06 10:08:20
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LND150N3-G-P014 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    剪切带（CT）带盒（TB）
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    30mA（Tj）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    0V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    1000 欧姆 @ 500μA，0V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    -
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    -
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    10 pF @ 25 V
  • FET 功能
    耗尽模式
  • 功率耗散（最大值）
    740mW（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-92-3
  • 封装/外壳
    TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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