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MBR8035R

更新时间:2025-05-18 05:41:42
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MBR8035R 规格参数
  • 制造商
    GeneSiC Semiconductor
  • 产品
    Schottky Diodes
  • 峰值反向电压
    35 V
  • 正向连续电流
    80 A
  • 最大浪涌电流
    1000 A
  • 正向电压下降
    0.75 V
  • 最大反向漏泄电流
    1 uA
  • 工作温度范围
    - 65 C to + 150 C
  • 安装风格
    Stud
  • 封装 / 箱体
    DO-5
  • 工厂包装数量
    5
芯知识
2.3万
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广东微尔科技有限公司
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