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厂家：SUNMATE/森美特
描述：RATINGS SYMBOL UNIT Maximum repetitive reverse voltage VRRM V Maximum RMS voltage VRMS V Maximum DC blocking voltage VDC V Maximum average forward current per device IAV A per diode Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave IFSM A Typical thermal resistance (Note 1) Rθ-JC °C/W Operating junction temperature range TJ -55 to +175 °C Storage temperature range TSTG -55 to +175 °C Maximum forward voltage at IF=10A VF V Maximum average reverse IR 0.01 mA 5 TJ=25°C TJ=125°C -55 to +150 0.10 15 20 10 40 28 40 45 32 45 60 42 60 100 70 100 150 105 150 200 140 200 220 per leg 0.65 0.75 0.85 0.92 MBRB 2040CT 2.5 superimposed on rated load current at rated DC blocking voltage MBRB 2045CT MBRB 2060CT MBRB 20100CT MBRB 20150CT MBRB 20200CT MBRB2040CT - MBRB20200CT CURRENT: 20A Feaures Maximum Ratings and Electrical Characteristics T A = 25C unless otherwise specified SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS ? High efficiencty operation ? Low power
标准包装：1,000
类别：分离式半导体产品
家庭：二极管，整流器 - 阵列
系列：TMBS®
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：800mV @ 10A
电流 - 在 Vr 时反向漏电：100µA @ 100V
电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）：10A
电压 - (Vr)（最大）：100V
反向恢复时间(trr)：-
二极管类型：肖特基
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
二极管配置：1 对共阴极
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：D2PAK（SMD-220）
包装：管件
其它名称：*MBRB20100CTVS-MBRB20100CTVS-MBRB20100CT-NDVSMBRB20100CTVSMBRB20100CT-ND

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