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MBRD835LT4G

更新时间:2025-05-20 13:13:18

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MBRD835LT4G外观图

MBRD835LT4G

ON Semiconductor 单二极管/整流器

DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

MBRD835LT4G 概述

MBRD835LT4G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高效肖特基二极管。该器件采用小巧的表面贴装封装，特别适合空间受限的应用环境。其最大反向电压为35V，能够满足多数低压应用需求。这款二极管常用于电源管理电路中，如适配器、充电器和直流-直流转换器等。它具备低正向压降特性，有助于提高系统效率并减少功耗。此外，其快速恢复时间使得它在高频开关电源应用中表现出色。在实际应用中，建议将该二极管与适当的散热设计相结合以确保最佳性能。由于其紧凑的封装尺寸，在PCB布局时需注意电气隔离间距。对于需要多个二极管并联使用的场合，应考虑均流措施以保证系统可靠性。

MBRD835LT4G 规格参数

标准包装
10
类别
分离式半导体产品
家庭
单二极管/整流器
系列
SWITCHMODE™
二极管类型
肖特基
电压 - (Vr)（最大）
35V
电流 - 平均整流 (Io)
8A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
510mV @ 8A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)
-
电流 - 在 Vr 时反向漏电
1.4mA @ 35V
电容@ Vr, F
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
Digi-Reel®
其它名称
MBRD835LT4GOSDKR

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