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MCH6602-TL-E

更新时间:2025-05-30 03:30:52
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MCH6602-TL-E外观图

MCH6602-TL-E

ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N-CH DUAL 30V 350MA MCPH6

  • 封装:6-SMD，无引线
MCH6602-TL-E 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    350mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    3.7 欧姆 @ 80mA，4V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    -
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    1.58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    7pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    800mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-SMD，无引线
  • 供应商设备封装
    6-MCPH
  • 包装
    带卷 (TR)
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