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MCR12DCNT4G

更新时间:2025-06-19 10:27:59

供应商
产品型号
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数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市辉华电子半导体有限公司
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深圳市华鸿芯科技有限公司
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只做原装

深圳市伟科芯电子科技有限公司
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深圳市晶美隆科技有限公司
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假一罚十，原装进口现货供应，价格优势。

深圳市正纳电子有限公司
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现货十年以上分销商，原装进口件，服务型企业

深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市奥利腾科技有限公司
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深圳市永贝尔半导体有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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深圳市英科美电子有限公司
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只做原装,为客户做到零风险

深圳市创芯联盈电子有限公司
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官网可查icscjh.com

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深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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只做原装价一赔亿挂了就有货

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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只做原装,专注海外现货订购20年

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可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市金科创世纪电子有限公司
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LITTELFUSE/力特
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原装现货，可开票，提供账期诚信服务

深圳市粤东诚信电子有限公司
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30000
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蓝界科技（深圳）有限公司
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深圳市天卓伟业电子有限公司
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深圳市福启达科技有限公司
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只做原厂原装假一罚十可含税

深圳市楚胜电子有限公司
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深圳市万芯时代贸易有限公司
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深圳市铭尔达科技有限公司
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MCR12DCNT4G外观图

MCR12DCNT4G

ON Semiconductor SCR - 单个

THYRISTOR SCR 12A 800V DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

MCR12DCNT4G 概述

MCR12DCNT4G是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率管理应用。此MOSFET常用于直流-直流转换器、负载开关及电池充电电路中。其最大漏源电压为20V，连续漏极电流可达2.8A（在室温条件下）。由于其紧凑的封装尺寸和良好的电气性能，特别适合空间受限的应用场景，如智能手机和平板电脑等便携式设备内部电源管理模块的设计。在实际应用中，需注意栅极驱动电压的选择以确保MOSFET能完全开启；同时，在布局PCB时应尽量减小寄生电感以避免影响高频性能。对于需要高效能与节省空间设计的场合，MCR12DCNT4G是一个理想的选择。

MCR12DCNT4G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
SCR - 单个
系列
-
SCR 型
标准恢复型
电压 - 断路
800V
电压 - 栅极触发器 (Vgt)（最大）
1V
电压 - 导通状态 (Vtm)（最大）
1.9V
电流 - 导通状态 (It (AV))（最大）
7.8A
电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）
12A
电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）
20mA
电流 - 维持(Ih)
40mA
电流 - 断开状态（最大）
10µA
电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm)
100A @ 60Hz
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
MCR12DCNT4GOSMCR12DCNT4GOS-NDMCR12DCNT4GOSTR

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