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MCR8DSMT4G

更新时间:2025-06-18 10:17:10

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MCR8DSMT4G外观图

MCR8DSMT4G

ON Semiconductor SCR - 单个

THYRISTOR SCR 8A 600V DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

MCR8DSMT4G 概述

MCR8DSMT4G是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高压侧开关，属于MOSFET驱动器系列。该器件设计用于工业和消费类应用中的高可靠性负载切换，例如继电器、LED和小型电机控制等场景。它集成了多种保护功能，如过流保护、过温保护和欠压锁定，有助于提高系统的稳定性和安全性。其输入电压范围宽泛，能够适应不同的电源条件。MCR8DSMT4G采用表面贴装技术的SO-8封装，有利于节省电路板空间并简化安装流程。在实际应用中，为了确保最佳性能，在布局布线时应尽量减小寄生电感和电阻的影响，建议将输入信号线尽可能短以减少噪声干扰。同时，根据具体负载特性选择合适的外围元件参数，比如栅极电阻值等，可以有效优化开关速度与功耗之间的平衡。

MCR8DSMT4G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
SCR - 单个
系列
-
SCR 型
灵敏栅极
电压 - 断路
600V
电压 - 栅极触发器 (Vgt)（最大）
1V
电压 - 导通状态 (Vtm)（最大）
1.8V
电流 - 导通状态 (It (AV))（最大）
5.1A
电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）
8A
电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）
200µA
电流 - 维持(Ih)
6mA
电流 - 断开状态（最大）
10µA
电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm)
90A @ 60Hz
工作温度
-40°C ~ 110°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
MCR8DSMT4G-NDMCR8DSMT4GOSTR

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