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MG200Q2YS60A

更新时间:2025-06-14 22:52:24
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MG200Q2YS60A 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    IGBT
  • 系列
    IGBTMOD™
  • IGBT 类型
    -
  • 配置
    半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    2.8V @ 15V，200A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    200A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
    15nF @ 10V
  • 功率 - 最大
    2000W
  • 输入
    标准型
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商设备封装
    模块
  • 配用
    BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
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